掺杂的总结 第1篇
多子：掺杂形成，浓度与杂质浓度相等。起主要导电作用。 少子：本征激发形成，浓度低。对温度敏感，影响器件性能。
可通过二次掺杂改变半导体类型
如：在P型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体
存在少子比多子多的情况
如：BJT中基区非平衡少子数量远多于多子
空间电荷区内，正、负电荷的电量相等。 故当P区和N区杂志浓度相等时，负离子区和正离子区的电荷区内，正、负电荷的电量相等。(对称结) 而当两边杂质浓度不同时，浓度高的一侧的离子区宽度低于浓度低的一侧。(不对称PN结)
PN结平衡后掺杂浓度越高耗尽层越窄的原因？ E ∝ N D W E{\propto}N_DW E∝NDW(电场强度正比于掺杂浓度宽度) φ ∝ E W \varphi{\propto}EW φ∝EW(电势差正比于电场强度宽度) 可得： φ ∝ N D W 2 \varphi{\propto}N_DW^2 φ∝NDW2 即电势差一样时，高掺杂的掺杂浓度大，所以耗尽层宽度窄。
PN结的结电容 势垒电容 C b C_b Cb：由反向电压使PN结宽窄发生变化作可变电容 扩散电容 C d C_d Cd：加正向电压时，由非平衡少子与电压之间的关系决定
掺杂的总结 第2篇
通常讨论杂质半导体的特性时，总会假设导带底和价带顶的有效能态密度是不变的，也就间接假设了禁带宽度不变。
但是在重掺杂的时候，尤其是在简并半导体中，重掺杂会严重影响禁带宽度。
在简并半导体中，由于掺杂浓度极高，原来分立的杂质能级分裂为能带，进一步与导带底和价带顶产生交叠，从而在禁带中出现了允许电子存在的能量状态，即禁带宽度变窄。
简并半导体的禁带变窄用在晶体管中时，就会使晶体管的增益下降，而不是像预期的那样增益上升。
掺杂的总结 第3篇
对于pn结来说，在冶金结两侧杂质浓度一般不同。在热平衡条件下，载流子的扩散运动产生了内建电势差，进一步形成了空间电荷区，即耗尽层。重掺杂的一侧，载流子浓度高，向低掺杂一侧扩散的载流子也就多，从而在低掺杂侧复合的载流子多，于是低掺杂一侧的空间电荷区较宽，而重掺杂一侧空间电荷区教窄。
典型地，对于单边突变结，如p+n结，空间电荷区几乎扩展在n区一侧。
也就是说，重掺杂时空间电荷区会向低掺杂一侧扩展，重掺杂一侧空间电荷区变窄。
掺杂的总结 第4篇
三价元素即元素周期表中的ⅢA族元素，代表性的为硼（B），镓（Ga）。这两个元素，最外层有3个电子。
硼 (B)是一种硬而脆的非金属元素，呈黑色或棕色。在自然界中，它大多以其氧化物或硼酸盐的形式存在，常见物质有硼酸、硼砂等。
镓 (Ga)一种柔软的金属，低熔点。它的熔点约为°C，GaAs被广泛用作半导体材料。此外，镓也用于生产太阳能电池、LED等。
常见的掺杂方式
目前主要有两种方式，即扩散与离子注入。
扩散
首先，半导体晶片经过清洁，以确保其表面没有污染。随后，硅片在高温下（扩散炉）加热。掺杂剂原子能够进入到半导体材料中，完成扩散后，进行退火等后处理，以稳定化掺杂剂的分布。
离子注入
离子注入使用高电压将离子态的掺杂物加速到非常高的速度，加速后的离子被精确地射向硅片的表面。由于离子具有高动能，它们会穿透硅片的表面并进入其内部。详见下几次的文章。
欢迎加入我的知识星球，答疑解惑，资料共享，内容比公众号丰富很多很多，介绍如下：
掺杂的总结 第5篇
重掺杂时pn结的内建电势差大，势垒高，也就意味着在空间电荷区内的场强大。那么在pn结反偏的情况下，只需小的反偏电压，就能使载流子在空间电荷区的高电场作用下获得更高的速度。高速载流子有一定几率和晶格原子发生碰撞，从而发生雪崩击穿。
即随着掺杂浓度的增加，载流子发生雪崩击穿的几率也在增加，击穿电压变小。
当掺杂浓度进一步增大时，直至价带顶能级超过导带底部能级，而空间电荷区又很窄，这时候价带顶的电子就会有很大的几率穿过势垒到达导带底，发生齐纳击穿。
特别地，在TTL中，重掺杂还有可能使集电结和发射结势垒穿通。
相比于单边突变结，线型缓变结共容易击穿。
